l　　　　 寄生可控硅效应的防护措施。

由于CMOS集成电路的互补特点,造成了在电路内部有一个寄生的可控硅(VS)效应。

当CMOS集成电路受到某种意外因素激发,如电感、电火花,在电源上引起的噪声往往要超过CMOS集成电路的击穿电压(约25V)。这时,集成电路的VDD端和VSS端之间会出现一种低阻状态,电源电压突然降低,电流突然增加,如果电源没有限流措施,就会把电路内部连接VDD或VSS的铝线烧断,造成电路永久性损坏。

如果电源有一定的限流措施(例如电源电流限在250mA以内),在出现大电流、低电压状态时,及时关断电源,就能保证电路安全无损。重新打开电源,电路仍能正常工作。

简单的限流方法是用电阻和稳压管进行限流,如附图1所示。图中稳压管的击穿电压就是CMOS集成电路的工作电压,电阻用来限流,电容用来提供电路翻转时所需的瞬态电流。



寄生VS造成损坏的电路用万用表电阻挡就可判断。正常电路,VDD—VSS之间有二极管特性:VS烧毁的电路,VDD~VSS之间呈开路状态。

在系统中,被损坏的电路如果加交流信号,其输出电平范围很窄,既高电平不到VDD,低电平不到VSS,而且不能驱动负载。

正常的CMOS集成电路用JT-1晶体管特性测试仪测量,能得到如图2所示的击穿特性曲线。测试方法:VDD接正电源,VSS接地,所有的输入端接VDD或VSS,测量集成电路的击穿特性。